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截至2026年，由于人工智能（AI）和大规模语言模型（LLM）的爆炸式增长，全球半导体行业正经历着根本性的结构重组。曾经具有周期性特征的商品——存储半导体，如今已成为决定AI工作负载计算效率和系统性能的关键瓶颈。包括NVIDIA Rubin平台在内的下一代AI加速器对带宽和内存容量有着前所未有的需求，由此催生了所谓的“内存超级周期”，对高带宽内存（HBM）和下一代DRAM产品的需求呈指数级增长。
然而，在需求爆炸式增长的背后，是传统二维平面动态随机存取存储器（DRAM）面临的关键物理和工程限制。尽管DRAM通过不断缩小尺寸提高了集成密度，但随着尺寸缩小到10纳米以下的1c和1d节点，存储电荷的电容器和控制它们的晶体管的物理尺寸缩小已达到极限。特别是，当物理尺寸缩小到20纳米以下时，电子隧穿、栅极漏电和器件间干扰等问题会严重降低大规模生产的良率和功率效率。
目前，业界正通过HBM技术暂时克服带宽限制。HBM采用硅通孔（TSV）技术垂直堆叠芯片；然而，这仅仅是一种连接多个芯片的2.5D或3D封装技术，并非真正意义上的单片3D集成技术，无法从根本上提升芯片内部的密度。为了满足边缘AI设备、高性能计算（HPC）和自动驾驶等未来应用对功耗和数据量的需求，DRAM必须进行根本性的范式转变，转向单片3D DRAM架构，正如NAND闪存通过从平面到三维垂直堆叠（V-NAND）的演进实现了容量的突破一样。
传统二维DRAM的扩展性限制
1. 平面1T1C架构的物理和电气缺陷及局限性
现代DRAM技术的基础在于1T1C单元结构，其中单个晶体管控制单个电容器，根据电荷的有无来存储数据。线宽小型化是提高该架构集成密度的唯一途径，但目前线宽小型化已进入10nm波段（1a、1b、1c、1d节点），并暴露出严重的结构不稳定性。
1.1. 电容器长宽比的结构临界点
为了在保持数据保存所需的最小电容 (Cs) 的同时，缩小 DRAM 单元的占用空间，电容器的高度必须大幅增加。在当前行业标准的 6F2 结构中，随着线宽的缩小，电容器的纵横比已经超过 40:1，并正迅速逼近 60:1。这种针状、超高纵横比的结构在制造过程中容易导致严重的缺陷，例如因物理冲击或表面张力引起的弯曲，或因与相邻电容器接触而导致的短路。这就产生了一个悖论：为了防止这种情况发生而增加支撑结构，虽然增加了制造复杂性，却反而减少了实际的存储空间。
1.2. 扩大电气泄漏路径并更新顶棚
晶体管尺寸因小型化而减小，削弱了沟道控制能力，加剧了栅极感应漏极泄漏 (GIDL) 和带间隧穿 (BTBT) 现象。当电容器中存储的电荷通过这些泄漏路径快速丢失时，数据保持时间会急剧缩短。这缩短了防止数据丢失所需的刷新周期，因此，相当一部分内存带宽被分配给了刷新任务，成为导致“内存墙”现象的主要原因，从而降低系统性能并显著增加功耗。
2. 过渡设计：从 6F2 到 4F2 垂直沟道晶体管 (VCT) 的演变
在全面采用 3D 堆叠技术之前，存储器制造商正在引入架构和垂直通道晶体管 (VCT) 作为中间步骤，以最大限度地提高集成密度，同时充分利用现有的平面工艺基础设施。
2.1 VCT架构的结构优势
4F2单元结构是一种创新设计，通过将位线和字线的间距分别优化至2F，与现有的6F2结构相比，芯片面积可减少30%以上。实现这一设计的关键技术是VCT，它将水平排列的沟道垂直对齐。在VCT结构中，晶体管的源极、沟道和漏极呈垂直柱状排列，便于实现环栅（GAA）结构，其中栅极完全包围沟道。这最大限度地提高了晶体管的静电控制能力，即使在精细节点上也能有效抑制短沟道效应。
2.2. VCT实施中的技术挑战
尽管垂直通道晶体管（VCT）在理论上具有优异的性能，但在实际应用中仍面临诸多挑战。垂直取向的硅沟道容易与衬底发生电绝缘，导致浮体效应（FBE）。沟道内积累的电荷会引起晶体管阈值电压（Vth）的异常变化，从而降低读写操作的可靠性。此外，控制垂直字线和位线之间的寄生电容，以及抑制纵向带间隧穿（BTBT）引起的漏电流，也是确保大规模生产可行性的关键挑战。
然而，实现VCT结构面临着巨大的技术挑战。垂直取向的硅沟道会引发“浮体效应（FBE）”，导致与衬底的电连接断裂。这会破坏晶体管的阈值电压，从而导致数据读写错误。此外，栅极干扰（即相邻字线导通时激活不需要的沟道）以及由纵向带间隧穿（L-BTBT）引起的栅极感应漏极漏电流（GIDL）控制问题也是必须克服的主要挑战。因此，4F2 VCT本身并非最终产品，而是通往未来多层3D堆叠的关键“垫脚石”，它验证了用于形成垂直结构的蚀刻和沉积技术，引入了新材料，并改进了精确的光刻工艺。
3D DRAM，新的希望
1.基于 1T1C 的 VS-DRAM
如果VCT是将现有的1T1C单元重新配置成垂直通道结构的方法，那么下一步就是VS-DRAM（垂直堆叠式DRAM），它在保留存储电容本身的同时，将单元阵列垂直重复堆叠。与3D NAND闪存类似，这种架构垂直堆叠存储单元，旨在通过第三个轴来补充位密度——位密度已无法仅通过平面缩小来实现。
最近对各种排列方法（例如垂直位线（VBL）和水平位线（HBL））的比较研究表明，3D 1T1C DRAM的实际竞争力取决于存储电容的最小所需容量、位线寄生电容、位线之间的耦合噪声以及堆叠数量。特别是，根据IEEE TED的一项比较研究，即使在基于VBL的3D DRAM中，要在保持足够信号裕度的同时实现超过12nm级2D DRAM的密度，也可能需要大约50个堆叠；这表明，虽然 3D 堆叠保持电容器代表了最连续的发展路径，但这绝不是一个工艺难度低的解决方案。
然而，基于电容的3D DRAM由于需要容纳存储器件，因此存在结构上的负担。相关综述和器件研究指出，3D 1T1C结构仍然需要横向布置的电容，这些电容会占用额外的面积，从而限制了整体集成密度的提升。此外，在堆叠式访问晶体管中，必须同时控制复杂的可靠性问题，例如浮体效应（FBE）引起的电荷损失、表面粗糙度导致的迁移率下降、关态漏电、字线间的静电耦合以及寄生BJT激活等。从工艺角度来看，关键挑战仍然在于多层Si/SiGe超晶格的形成、选择性SiGe刻蚀、抑制沟道损伤以及控制堆叠层数超过临界厚度时产生的应力积累和位错。
因此，虽然配备 CAP 的 3D DRAM 是一种现实的过渡技术，可以以最小的代价向 3D 集成过渡，并且对传统 DRAM 的运行原理的妥协最小，但它具有过渡性质，最终无法避免在长期比特成本创新方面与无电容结构竞争。
2.无电容 3D DRAM 和多晶体管单元 (2T0C, 3T0C) 的兴起
如果VCT是现有1T1C结构的垂直变体，那么实现真正3D单片集成的最终解决方案是完全消除笨重的电容器。这被称为“无电容架构”，其典型例子包括使用两个晶体管（一个用于读取，一个用于写入）的2T0C结构或使用三个晶体管的3T0C结构。
在这种结构中，读取晶体管或浮体本身的寄生电容被用作电荷存储，而非使用电容器。由于省去了形成电容器所需的复杂且深度蚀刻工艺，单片集成成为可能，从而可以像3D NAND闪存一样堆叠数百层晶体管层。无晶圆厂IP公司NEO Semiconductor最近提出的3D X-DRAM设计也是一种通过改进3D NAND制造工艺来实现3T0C结构的技术，它显著提高了集成密度。
一些破局的思考
2024 年至 2026 年举行的三大全球最负盛名的半导体会议（IEEE IEDM、VLSI Symposium 和 ISSCC）上发表的与 3D DRAM 相关的论文，在良率提高、新材料的引入以及用于商业化的异构集成方面取得了显著成就，超越了实验室层面的概念验证。
1. 无电子2T0C架构和氧化物半导体（IGZO）沟道的创新
构建无电容2T0C结构的关键前提是采用漏电流极低的沟道材料。硅(Si)基晶体管由于漏电流增大以及小型化带来的寄生电容问题，在长时间保持电荷方面存在物理限制。为了克服这一问题，学术界和工业界正致力于研究氧化物半导体沟道晶体管，包括铟镓锌氧化物(In-Ga-Zn-O，IGZO)。
IGZO具有约3.0 eV的宽带隙，由于其沟道在关断状态下完全耗尽，关断电流仅为阿安级（小于1 aA/单元）。这可以延长数据保持时间并显著降低刷新功耗。此外，由于其极低的空穴迁移率，IGZO形成无结结构，避免了空穴传导，从而消除了硅沟道中常见的浮体效应。结合其无缺陷的源漏结特性，从根本上防止了可变保持时间（VRT）的退化。
在工艺方面，由于其s轨道导电特性，IGZO即使在低温（例如室温）下通过原子层沉积（ALD）等工艺形成均匀薄膜时，也能实现超过10 cm²/Vs的高电子迁移率。这使得在后端工艺（BEOL）中能够在低温下制造晶体管，从而实现灵活的结构集成，而不会对底层CMOS或电容器造成热损伤。因此，可以省略垂直结构或3D集成所需的复杂外延沟道层形成工艺，从而显著提高工艺效率。
在2025年超大规模集成电路展（VLSI 2025）和2024年国际电子器件与器件设计会议（IEDM 2024）上，华为和中国科学院的研究团队展示了世界上首款垂直全环沟道（CAA）IGZO场效应晶体管，其关键尺寸小于50纳米。研究人员利用等离子体增强原子层沉积（PEALD）技术，共形沉积了IGZO/HfOx/IZO叠层结构，在55纳米沟道长度下实现了92 mV/dec的低亚阈值摆幅（SS）和32.8 µA/µm的导通电流，为实现2T0C、4F2单元结构奠定了坚实的基础。
此外，在 IEDM 2025 大会上，日本铠侠公司展示了先进的 OCTRAM（氧化物-半导体沟道晶体管 DRAM）技术，该技术采用八层水平氧化物半导体晶体管堆叠而成，而非传统的垂直堆叠。这项工艺通过交替沉积氧化硅和氮化硅薄膜，然后选择性地用 InGaZnO 取代氮化硅区域，被认为是一项突破性技术，能够显著降低 AI 服务器和物联网设备的制造成本，并通过实现垂直间距缩放来最大限度地减少刷新功耗。
佐治亚理工学院的一个研究团队也在 IEDM 2025 大会上展示了逻辑和存储器垂直集成的潜力，他们通过在 40nm CMOS 逻辑工艺上单片集成双栅 ALD 氧化物沟道非易失性存储器，实现了数字内存计算功能。
2. 垂直沟道晶体管（VCT）架构中抑制浮空效应的机制
抑制浮体效应（FBE）和漏电流（4F2架构的长期难题）的结构创新也在加速推进。通过联合研究，CXMT与北京超弦研究院开发了一种无结环栅垂直沟道晶体管（JAA VCT），并发表了一篇里程碑式的论文，展示了8Gb全阵列原型机的运行情况。
为了解决现有反型模式VCT所面临的对准和FBE问题，研究人员设计了一种结构：在字线（WL）上采用原子层沉积（ALD）技术沉积的TiN栅极材料完全包裹住纳米片状硅柱（GAA）。特别地，这种采用N型衬底的无结结构有效抑制了垂直电场，显著降低了端到端隧穿（L-BTBT），而端到端隧穿正是导致GIDL的原因。该原型器件实现了10^9的超低亚阈值摆幅（SS）和62.5 mV/dec的响应，并且通过在VCT上放置六边形电容器实现了完美的4F2，使其向3D DRAM的商业化迈出了重要一步。
关键工艺和挑战：键合技术和HARC蚀刻
要使3D DRAM架构超越理论模型，进入量产阶段，必须同时掌握先进的封装技术和超精细、高难度的单元工艺。特别是，实现堆叠结构的键合技术，以及实现该结构的高纵横比刻蚀（HARC）和后续的沉积填充工艺，被认为是3D DRAM商业化的关键瓶颈。
1.利用W2W混合键合技术克服单片集成的局限性
理想的单片3D集成是将存储单元阵列和控制它们的逻辑外围电路堆叠在单个硅芯片上，但由于严苛的散热要求，这种集成方式存在损坏底层逻辑电路的风险。解决这些制造难题的关键技术是混合键合。
晶圆间（W2W）混合键合技术无需微凸点或焊球等中间件，即可将上下晶圆的铜（Cu）电极和介电材料进行物理和电气上的直接键合。该技术使得包含单元阵列的晶圆和包含外围电路的晶圆能够在各自的最佳工艺节点上独立制造，然后再进行键合，从而显著提高了良率。
三星电子在ISSCC 2026会议论文中提出的单元-外围（COP）架构也采用了这种W2W混合键合技术，实现了在小面积内以超高密度集成4F² VCT。与凸点相比，混合键合技术能够指数级地提高垂直互连的密度，并正在成为突破16层或更高层数HBM以及未来商用3D DRAM系统带宽限制的关键因素。
2.超高纵横比 (HAR) 蚀刻和形状控制的挑战
然而，3D DRAM并非简单地堆叠晶圆即可完成。实际上，要实现3D DRAM，必须加工出非常深且窄的孔或沟槽来形成垂直通道或电容器，纵横比从50:1飙升至100:1 。在这些高纵横比接触（HARC）刻蚀区域，刻蚀气体和离子难以充分到达结构底部，导致工艺控制难度迅速增加。
因此，容易出现诸如弯曲（孔中间部分异常膨胀）、扭曲（底部形状变形）和倾斜（蚀刻轴向一侧倾斜）等形状缺陷。这种轮廓变形不仅限于简单的尺寸偏差；它会导致相邻单元间隙减小和绝缘击穿，最终直接导致单元间短路和良率下降。因此，在3D DRAM蚀刻工艺中，轮廓的垂直度、均匀性和底部形状控制远比简单的蚀刻速度更为重要。
为了解决这个问题，先进的刻蚀技术至关重要，例如低温刻蚀（通过将晶圆温度降低到零度以下来控制反应副产物）和脉冲电压技术（PVT，可精确控制等离子体离子的能量） 。换句话说，3D DRAM 的可行性不仅取决于刻蚀深度，还取决于超高深宽比结构的加工精度和稳定性。
3.三维结构内部的超精密沉积和新型材料间隙填充
蚀刻后的工艺也极具挑战性。在薄而深的3D结构的内侧壁上，以原子层级均匀地形成栅极介质和电极薄膜是一项非常艰巨的任务。尤其是在纵横比极高的情况下，使用传统的沉积方法很难保证薄膜质量均匀直至底部，因此，几乎可以完美覆盖整个3D形貌的原子层沉积（ALD）工艺几乎是必不可少的。
此外，随着结构精细化程度的提高，字线和位线区域的布线电阻和RC延迟问题也日益加剧，这使得间隙填充技术对于可靠地填充空隙变得尤为重要。在此过程中，除了传统的钨（W）基金属填充外，人们正在认真考虑应用钼（Mo）和钌（Ru）等新型金属材料，这些材料具有更低的电阻和更优异的填充特性。最终，在3D DRAM中，性能和可靠性不仅取决于蚀刻工艺本身，还取决于蚀刻结构内部涂层和填充的均匀性以及间隙的填充程度。
4.高温工艺限制及对底层逻辑电路的损害
3D DRAM正朝着单元下层（PUC）或类似结构发展，将外围电路置于存储单元阵列下方，以最大限度地提高空间利用率。然而，在这种情况下，会出现一个问题：用于形成上层存储单元的高温工艺可能会对已形成的下层逻辑晶体管和金属布线造成热损伤，或导致电气特性发生变化。
因此，在3D DRAM制造中，必须严格控制整个工艺的热预算，而能够在低温下保证优异电学特性和工艺稳定性的沟道材料就显得尤为重要。正因如此，基于IGZO和InGaO的氧化物半导体材料，由于其可在低于550°C的低温工艺中沉积且具有优异的耐热性，正作为下一代3D DRAM的沟道材料而备受关注。换言之，堆叠结构的实现不仅仅是结构设计的问题，而是与构建一个能够在形成上层单元的同时保护下层电路的低温工艺平台直接相关。
5.结构坍塌和非均质材料堆垛层错
同时，3D DRAM结构采用极细的线宽，使其机械稳定性较差。尤其是在蚀刻后的清洗和干燥过程中，容易发生图案坍塌，相邻的精细图案会因液体的表面张力而粘连或坍塌。为了抑制这些问题，能够有效消除表面张力的超临界二氧化碳（SCCO₂）干燥技术显得尤为重要。
此外，在硅（Si）和硅锗（SiGe）等不同材料交替堆叠数十层到数百层的结构中，由于两种材料之间晶格常数的微小差异（晶格失配） ，会积累内部应力。这会表现为晶圆翘曲、位错和界面缺陷，最终导致单元特性退化和可靠性降低。因此，3D DRAM 并非简单的堆叠，而是一种超高难度的集成工艺技术，需要蚀刻、沉积、干燥和材料工程等多个环节的协同配合。
四巨头的路线图
主导全球DRAM市场的“三大巨头”——三星电子、SK海力士和美光——正将生存押注于在3D DRAM市场占据领先地位，为此投入巨额研发预算，以满足人工智能基础设施的激增需求。然而，这三家公司在迈向3D结构的过程中，所采取的技术路径和路线图却呈现出明显的战略差异。
1.三星电子：4F2 VCT验证了渐进式整体3D范式转变
三星电子曾因在HBM市场早期被SK海力士抢占主导地位而遭受重创，如今正执行一项系统而循序渐进的总体规划，以期全面夺回在3D DRAM市场的领先地位。三星电子的策略遵循标准流程，首先通过将现有的1T1C结构进行扁平化或垂直化处理来验证工艺风险，然后再逐步推进全堆叠工艺。
三星设定了一个短期目标，即在2025年前完成采用垂直通道的4F2 VCT DRAM的初步开发和运行原型验证。此举旨在解决VCT结构蚀刻和对准的复杂性问题，并实现垂直工艺能力的内部化。正如前述ISSCC 2026论文所示，三星正通过将VCT与COP结构和混合键合相结合来克服这些限制。
完成短期VCT验证后，三星制定了雄心勃勃的愿景，力争在2030年前实现真正的3D DRAM产品商业化。为此，该公司正在深入研究“VS-DRAM（垂直堆叠DRAM）”或VS-CAT结构，该结构将电容器垂直堆叠超过100层。据悉，三星内部已对16层堆叠的VS-CAT DRAM的可行性进行了探索。此外，该公司正积极推进将背面供电网络（BSPDN）技术集成到3D DRAM中的计划，以最大限度地提高每个存储体的能效。
2. SK海力士：保持HBM主导地位并抢占垂直栅极（VG）和下一代通道材料（IGZO）市场
凭借在HBM3和HBM3E市场的主导地位，SK海力士预计将获得NVIDIA下一代Rubin平台HBM4芯片70%以上的订单，成为2025-2026年半导体超级周期的最大受益者。在实现巨额营业利润（预计到2025年将超过47万亿韩元）后，SK海力士宣布了一项大胆的战略，以保持其在未来技术平台——3D DRAM领域的领先地位。
在2025年超大规模集成电路（VLSI）研讨会的主题演讲中，SK海力士指出，4F2垂直栅极（VG）技术将成为未来30年引领DRAM发展的全新技术平台。该公司计划通过一种栅极垂直包裹沟道的结构，克服目前10纳米以下工艺中存在的漏电和空间限制问题。与三星类似，SK海力士也制定了循序渐进的路线图，计划在2025年底前验证4F2 DRAM原型机的商业可行性，并在此基础上过渡到3D DRAM架构。
尤其值得一提的是，SK海力士引入了一种新型沟道材料。该公司已获得IGZO（铟镓锌氧化物）的专利，这是一种非晶态金属氧化物，能够大幅降低待机功耗，并被选为3D DRAM的关键下一代沟道材料，SK海力士一直在进行持续的研发。通过稳定IGZO的结晶过程，该公司旨在实现3D堆叠式存储器所需的超低功耗和长保持特性，以满足移动设备和边缘AI环境的需求。
3.美光：跳过过渡阶段 4F2 直接迈向 3D 单片集成的“高风险”策略
美国美光科技公司是全球第三大芯片制造商（预计到2025年第一季度市场份额将达到25%），为了扭转市场局面，该公司选择了一条与两家韩国竞争对手截然不同的非传统技术路线。据证实，美光采取了风险极高的策略，跳过了基于4F2 VCT的过渡阶段，直接进入3D DRAM的研发阶段，以节省该阶段所需的大量资金和时间。
此举旨在通过绕过4F2架构的物理复杂性（例如垂直通道形成和浮空效应控制），直接将从3D NAND闪存生产中积累的高堆叠技术应用于2T0C或3T0C等3D DRAM架构，从而加快产品上市速度。这一决策的背后是美光公司预先建立的强大专利壁垒。美光早在2019年就开始研发核心3D DRAM技术，早于竞争对手，截至2022年，已获得超过30项强大的3D DRAM结构专利。此外，该公司还积极从大规模计算架构的角度引领封装尺寸创新，例如，率先推出业界首款创新型256GB SOCAMM2模块（采用单芯片LPDDR5X），将内存和相关电路集成到单个芯片上，以克服AI数据中心在功耗和密度方面的限制。
4.铠侠：面向超低功耗OCTRAM的3D DRAM的利基战略
日本NAND闪存巨头铠侠(Kioxia)并未将目光投向高性能HBM市场，而是将赌注押在了其自主研发的氧化物半导体沟道3D DRAM技术上，该技术的目标市场是边缘设备和超低功耗系统。在2025年IEDM展会上，铠侠展示了基于8层水平InGaZnO晶体管的OCTRAM技术，该技术实现了低于1安培的超低漏电流特性。
铠侠的策略是规避现有硅基1T1C集成技术的局限性，并将其在BiCS 3D NAND堆叠工艺方面的优势与基于氧化物半导体的无电容存储器相结合。这种方法采用交替堆叠平面沟道而非垂直蚀刻的方式，有利于实现垂直间距的缩小，并有望有效克服现有单片3D集成技术固有的蚀刻成本过高的问题。
未来存储器领域的霸主地位不仅取决于物理工艺能力，还取决于谁能率先获得核心知识产权组合并主导授权生态系统。近期3D DRAM相关技术专利的市场份额数据强烈表明，未来的市场动态很可能从以制造商为中心的模式演变为包含无晶圆厂知识产权公司的混合价值链。
令人惊讶的是，在3D DRAM专利领域，像Neo Semiconductor和BeSang这样的无晶圆厂创新公司位列第二和第三，仅次于三星，领先于SK海力士和美光。这意味着，当3D DRAM进入全面量产阶段时，这些知识产权持有者将能够发挥巨大的经济影响力，类似于ARM和高通在移动生态系统中收取专利费的方式。特别是Neo Semiconductor的3D X-DRAM专利族（1T0C FBC结构，IGZO通道3T0C），其重点在于利用现有的3D NAND设备大幅降低制造成本，这使其极有可能成为未来技术许可纠纷或大规模并购的关键目标。
总之，向 3D DRAM 的过渡不仅仅是外形尺寸的改变，而是技术融合的熔炉，新材料（如 IGZO）、新封装（W2W 混合键合）和新架构（无电容）专利在此交汇，证明公司间的交叉许可能力已提升为决定生存的关键武器。
3D DRAM，重塑半导体
2026 年半导体超级周期将成为检验计算系统所需数据带宽和集成密度物理极限的试验场。正如本报告分析的那样，由于电容纵横比的限制和漏电流问题，传统 2D DRAM 的微缩化已接近尾声，行业正处于一个转折点，即将迎来开创性的 3D 空间架构变革。基于对广泛技术进步和市场趋势的分析，得出的关键结论如下。
首先，各厂商在过渡架构上的战略选择将决定市场格局。三星电子和SK海力士采用了一套标准路线图，优先考虑量产稳定性和工艺风险分散，并以4F² VCT或VG结构作为初步验证的“跳板”。另一方面，美光则果断地绕过过渡阶段，凭借自身积累的专利，采取了风险极高的策略，直接投身于完整的3D单片堆叠技术。市场关注的焦点在于，哪种策略能够在3D DRAM市场（预计将于2030年前后全面爆发）中，同时兼顾“上市时间和良率稳定性”。
其次，3D DRAM技术的真正优势已完全超越了简单的堆叠层数，转向了基于低温工艺的超高纵横比（HARC）和异质集成能力。能否利用低温刻蚀和脉冲电压技术（PVT）抑制纵横比为50:1或更高时出现的弯曲和倾斜现象，将决定初始良率的走向。
此外，为了克服单片结构的散热预算限制，保护底层逻辑电路的W2W混合键合精度、无需高温工艺即可实现高性能的氧化物半导体沟道（例如IGZO）以及新型金属（Mo、Ru）间隙填充技术已成为关键的竞争因素。最终，3D DRAM的成败取决于蚀刻微结构内部在原子层级（ALD）上的均匀控制和稳定填充程度。
而且，我们还必须密切关注地缘政治制裁的消解以及中国存储器企业巩固其对源知识产权控制权的现象。
因此，即将到来的3D DRAM霸主之争不能用传统工艺小型化竞争的标准来衡量。只有那些能够最全面地协调制造商与无晶圆厂IP创新公司之间的专利动态、克服新材料工程的局限性以及解决异构集成工艺中的热力学难题的企业，才能打破人工智能时代的计算瓶颈，并最终掌控下一代半导体帝国。
*免责声明：本文由作者原创。文章内容系作者个人观点，半导体行业观察转载仅为了传达一种不同的观点，不代表半导体行业观察对该观点赞同或支持，如果有任何异议，欢迎联系半导体行业观察。
今天是《半导体行业观察》为您分享的第4349内容，欢迎关注。
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